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J-GLOBAL ID:200903046041979734

半導体装置およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 梶原 辰也
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994168940
Publication number (International publication number):1996017989
Application date: Jun. 28, 1994
Publication date: Jan. 19, 1996
Summary:
【要約】【目的】 成形型の摩耗、コストの増加を抑制しつつ、放熱性能を増強する。【構成】 ペレット12と、ペレットがボンディングされたタブ7と、ペレットにワイヤ13で電気接続された複数本のインナリード6と、各インナリード6に連結されたアウタリード4と、タブの裏面に樹脂絶縁層部17を介して固定された放熱板22と、ペレット、タブ、インナリード、樹脂絶縁層部17および放熱板の一部を樹脂封止する樹脂封止体16とを備えた放熱板付トランジスタアレイ10において、樹脂絶縁層部17をシート状の高熱伝導樹脂材料を使用して形成する。【効果】 ペレットの発熱はタブおよび高熱伝導樹脂材料で形成された樹脂絶縁層部を経て放熱板に熱伝導される。ペレットの発熱は放熱板から効果的に外部に放熱されるため、放熱板付トランジスタアレイ10の放熱性能を高められる。
Claim (excerpt):
半導体ペレットと、半導体ペレットがボンディングされているタブと、タブにボンディングされた半導体ペレットに電気的に接続されている複数本のリードと、タブの裏面に樹脂絶縁層部を介して近接するように対向されている放熱板と、半導体ペレット、タブ、各リードの一部および放熱板の一部を樹脂封止する樹脂封止体とを備えている半導体装置において、前記樹脂絶縁層部がシート状の高熱伝導樹脂材料が使用されて形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4):
H01L 23/50 ,  H01L 23/28 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

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