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J-GLOBAL ID：200903046068733699

半導体製造装置

Inventor： 星野 正和 ,  飯野 利喜 ,  藤田 昌洋
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 鵜沼 辰之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991324653
Publication number (International publication number)：1993160111
Application date： Dec. 09, 1991
Publication date： Jun. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】 CVD装置やエッチング装置等に用いられる観測窓の反応生成物による汚染を防止し、常に窓ガラスをクリーンな状態に保つことにより、装置内の微粒子計測等を可能にし、半導体製造過程における歩留まりの向上と高スループット化を実現する。【構成】 窓ガラス表面と反応容器壁面との間にガス導入管とガス流出用小孔を有する補助真空室を設け、圧力差により、クリーンガスが補助真空室から反応容器内に流れるような構成にした。【効果】 反応生成物による窓ガラス表面の汚染を防止できるので、半導体製造装置の外部から窓ガラスを通して反応容器内への光導入や、反応容器内からの信号検出が容易になり、反応容器内の微粒子計測等ができるようになり、半導体製造過程の歩留まりの向上と高スループット化が実現できる。

Claim (excerpt)：

真空状態の反応容器内を観察する観察窓を有する半導体製造装置において、前記観測窓と前記反応容器内との間に、該反応容器内へクリーンガスを流出する補助真空室を介在させたことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (3)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 冷凍機用圧縮機
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-014826   Applicant：株式会社日立製作所