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J-GLOBAL ID：200903046080499650

面発光型半導体レーザ

Inventor： 森 克己 ,  浅賀 達也 ,  岩野 英明 ,  近藤 貴幸
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 井上 一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994025998
Publication number (International publication number)：1994283818
Application date： Jan. 28, 1994
Publication date： Oct. 07, 1994
Summary：

【要約】【目的】 完全な電流狭窄が可能な構造を有し、かつ、出射されるレーザ光の偏波面の方向を特定方向に揃えることができる面発光半導体レーザを提供する。【構成】 (102,202,302,402,502,602)半導体基板に対して垂直な共振器を構成する半導体層の少なくとも(107,207,307,407,507,606)クラッド層を、半導体基板に対して垂直な1本又は複数本の柱状半導体層とする。このとき、柱状部分は、半導体基板に平行な断面が短辺および長辺から成る矩形断面とする。その柱状半導体層の周囲に(109,209,309,409,509,607,608)埋込み層を埋め込んで構成する。この構造により、出射されるレーザ光の偏波面は矩形断面の短辺の方向に揃う。

Claim (excerpt)：

半導体基板に垂直な方向に光を出射する面発光型半導体レーザにおいて、反射率の異なる一対の反射鏡とそれらの間の多層の半導体層とを有し、前記半導体層のうちの少なくともクラッド層が1本又は複数本の柱状に形成されている光共振器と、前記柱状部分の周囲に埋め込まれている絶縁性の埋込み層と、前記柱状部分の表面にコンクタトし、かつ、前記柱状部分と対向する領域に光出射口を有し、少なくとも前記光出射口内に前記一対の反射鏡のうちの光出射側の反射鏡が形成される光出射側の電極と、を有し、前記柱状部分は、前記半導体基板に平行な横断面形状が長辺と短辺からなる矩形であり、出射されるレーザ光の偏波面の方向が、前記短辺の方向と平行であることを特徴とする面発光型半導体レーザ。