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J-GLOBAL ID：200903046081561732
強誘電体層を有する半導体素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
曽々木 太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991306561
Publication number (International publication number)：1993121731
Application date： Oct. 26, 1991
Publication date： May. 18, 1993
Summary：
【要約】【目的】 酸化物を用いることなく、結晶化温度が低いので高温処理を必要とせず、しかも結晶構造が簡単な強誘電体を用いたMFS型半導体素子を提供する。【構成】 MFS型半導体素子の強誘電体層3の材質としてGeTe,SnTeやPbxGeTe1-x(0.01≦x≦1.00)等のIV-VI化合物を用いるものである。なお、強誘電体層5Aと半導体基板1および(または)電極4との間にバッファ層5Bを設けるのが好ましい。
Claim (excerpt)：
半導体基板と、該半導体基板の表層部に所定の間隔をおいて形成された不純物拡散層と、前記半導体基板上で前記不純物層間に橋架された絶縁体層と、該絶縁体層上に積層された電極とからなる半導体素子であって、前記絶縁体層が、IVーVI化合物の強誘電体からなることを特徴とする半導体素子。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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