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J-GLOBAL ID：200903046113788610

半導体デバイスの評価装置およびその方法並びに半導体デバイスの製造方法

Inventor： 須賀 三雄 ,  細木 茂行 ,  古川 貴司
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999364090
Publication number (International publication number)：2001185593
Application date： Dec. 22, 1999
Publication date： Jul. 06, 2001
Summary：

【要約】【課題】特別な配線等をすることなく、半導体デバイスにおける論理回路内部のトランジスタやメモリセルやキャパシタやpn接合等の素子についてのドーパントプロファイルの評価を可能にした半導体デバイスの評価装置およびその方法を提供することにある。【解決手段】本発明は、試料に収束電子線を照射し、収束電子線の照射位置を制御する手段と、2次電子検出器と、微小な先端を有する複数の探針と、探針間に電圧を印加するための電圧源と、探針間に流れる電流を計測するための電流計と、探針間に流れる電流値を電子線照射位置に対応させて記憶する手段とを備えて構成した。

Claim (excerpt)：

pn接合が形成された半導体デバイスに収束電子線を照射し、該収束電子線の照射位置を制御する電子線照射手段と、該電子線照射手段によって照射された収束電子線に応じて発生する2次電子強度を検出する2次電子検出器と、前記半導体デバイスにおける目的とする複数の微小な個所の各々に接触させて電気的に接続させる微小な先端部を有する複数の探針と、該探針間に所望の電圧を印加するための電圧源と、前記電子線照射手段によって制御される収束電子線の照射位置に応じて前記電圧源によって所望の電圧が印加された探針間に流れる電流を計測するための電流計と、該電流計によって計測される電流および前記2次電子検出器によって検出される2次電子強度を前記電子線照射手段によって制御される収束電子線の照射位置に対応させて記憶させる記憶手段とを備えたことを特徴とする半導体デバイスの評価装置。

IPC (4)：

H01L 21/66 ,  G01N 13/12 ,  G01N 23/225 ,  H01J 37/28

FI (4)：

H01L 21/66 L ,  G01N 13/12 A ,  G01N 23/225 ,  H01J 37/28 A

F-Term (38)：

2G001AA03 ,  2G001AA05 ,  2G001BA07 ,  2G001CA03 ,  2G001FA06 ,  2G001GA01 ,  2G001GA06 ,  2G001GA09 ,  2G001GA11 ,  2G001GA13 ,  2G001HA13 ,  2G001JA02 ,  2G001JA08 ,  2G001KA03 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05 ,  2G001PA06 ,  2G001PA12 ,  2G001SA02 ,  4M106AA02 ,  4M106AA07 ,  4M106AB01 ,  4M106BA01 ,  4M106BA02 ,  4M106CA04 ,  4M106CA11 ,  4M106CB02 ,  4M106DD13 ,  4M106DH01 ,  4M106DH16 ,  4M106DH24 ,  4M106DJ04 ,  4M106DJ23 ,  5C033TT03 ,  5C033TT04 ,  5C033TT05 ,  5C033UU03 ,  5C033UU05