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J-GLOBAL ID：200903046125253380
パターン形成方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
木村 高久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991235134
Publication number (International publication number)：1993072747
Application date： Sep. 13, 1991
Publication date： Mar. 26, 1993
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 安定して高精度のパターンを得ることのできる化学増幅型レジストパターン形成方法を提供する。【構成】 基板上に感光性樹脂膜を形成する工程と、この感光性樹脂膜をパターン露光する工程と、ポストエクスポージャベークを行う工程と、アルカリ現像液を用いて前記感光性樹脂膜の現像を行い、パターン形成する工程とを含み、このポストエクスポージャベーク後に、ホトレジスト膜の温度履歴を該基板の面内で均一かつ基板間で同一となるよう制御しながら基板を冷却せしめ、この後現像を行う。露光後ポストエクスポージャベーク中又はそれに先立ち感光性樹脂膜を水蒸気雰囲気中にさらす化学増幅型のレジストを露光後ポストエクスポージャベーク中又はそれに先立ち感光性樹脂膜を溶剤雰囲気中にさらすレジストのポストエクスポージャベークを、減圧雰囲気または不活性ガス雰囲気中で行う。
Claim (excerpt)：
被処理基板上に、感光性樹脂膜を塗布する感光性樹脂膜塗布工程と前記感光性樹脂膜をパターン露光する工程と、前記感光性樹脂膜に対しポストエクスポージャベークを行う工程と、ホトレジスト膜の温度履歴を該基板の面内で均一かつ基板間で同一となるよう制御しながら基板を冷却せしめる冷却工程と、前記感光性樹脂膜の現像を行い、パターン形成する現像工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (2)：
G03F 7/38 511
, H01L 21/027
H01L 21/30 301 D
, H01L 21/30 361 Q
, H01L 21/30 361 L
Cited by examiner (7)
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