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J-GLOBAL ID:200903046149091934

反応性イオンエッチング装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992149079
Publication number (International publication number):1993343361
Application date: Jun. 09, 1992
Publication date: Dec. 24, 1993
Summary:
【要約】【目的】プラズマ発生の安定を図り、ウェーハ4面内のエッチングレートを均一にする。【構成】上部電極2と下部電極3の間隔を十分に塞ぐとともにエッチング室5を囲むように環場コイル1を設け、電界に直交するとともにプラズマを閉じ込める一様の磁場発生させ、低圧でも安定してプラズマを発生させる。また、必要に応じて環状コイル1を被覆し、エッチング室5に取付けられる冷却管9を設け、環状コイル1の温度上昇を抑えるとともにエッチング室内の温度の安定を図り、よりエッチングレートの安定を行う。
Claim (excerpt):
エッチング室内に対向して配置される上部電極及び下部電極と、これら電極間に高周波電圧を印加する高周波電極部と、前記上部電極と前記下部電極の間隙を埋めるとともに前記エッチング室を囲むように配置される環状コイルとを備えることを特徴とする反応性イオンエッチング装置。
IPC (2):
H01L 21/302 ,  C23F 4/00

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