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J-GLOBAL ID：200903046150325655

半導体素子のエス.オー.ジー(SOG)膜形成方法

Inventor： 金 民載 ,  辛 東善
Applicant, Patent owner： 現代電子産業株式会社
Agent (1)： 中川 周吉 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996359858
Publication number (International publication number)：1997199495
Application date： Dec. 27, 1996
Publication date： Jul. 31, 1997
Summary：

【要約】【目的】半導体素子の電気的特性を向上させることができるエス・オー・ジー膜形成方法を提供することに目的がある。【構成】本発明は水分の浸透による素子の電気的特性低下を防止するためSOG膜を形成したあとプラズマを利用して上記SOG膜を表面処理する。

Claim (excerpt)：

半導体素子のエス・オー・ジー膜形成方法において、半導体素子の製造工程を経て段差が深化されたシリコン基板上に層間絶縁膜を形成したあと表面を平坦化させるため全体上部面にエス・オー・ジー膜を塗布する段階と、上記段階から上記エス・オー・ジー膜を硬化及び焼成させる段階と、上記段階から上記エス・オー・ジー膜の構造が緻密化するようにプラズマを利用して上記エス・オー・ジー膜を表面処理する段階でなることを特徴とする半導体素子のエス・オー・ジー膜形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/768

FI (4)：

H01L 21/316 G ,  H01L 21/316 P ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/90 Q

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平4-343431
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-212945   Applicant：川崎製鉄株式会社
• プラズマCVD装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-120396   Applicant：松下電器産業株式会社
• プラズマ処理装置とこれを用いたプラズマ処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-152278   Applicant：ソニー株式会社
• スピンオングラス膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-042557   Applicant：日本電気株式会社, アプライドマテリアルズジャパン株式会社