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J-GLOBAL ID：200903046152838978

MOS型半導体装置及びその製造方法

Inventor：
土明 正勝

About 土明 正勝


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (8)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006121008
Publication number (International publication number)：2007294686
Application date： Apr. 25, 2006
Publication date： Nov. 08, 2007
Summary：
【課題】 極性によって最適な結晶面にそれぞれのチャネル面を形成し、浅いソース・ドレイン接合位置を保ちつつソース・ドレイン電極上部がシリサイド化されたMOS型半導体装置において、接合リークを低く抑えて素子動作の高速化をはかる。【解決手段】 MOS型半導体装置であって、Si(110)面の第1の領域とSi(100)面の第2の領域とを同一主面に有する基板10と、第1の領域のゲート電極103の両側に形成された第1のソース・ドレイン領域106と、第2の領域のゲート電極203 の両側に形成された第2のソース・ドレイン領域206と、ソース・ドレイン領域106上に形成され、N原子の含有量が面密度で8.5×1013cm-2以上8.5×1014cm-2以下で、且つF原子の含有量が面密度で5.0×1012cm-2以下のシリサイド層116と、ソース・ドレイン領域206上に形成され、F原子の含有量が面密度で5.0×1013cm-2以上のシリサイド層216とを備えた。【選択図】 図11
Claim (excerpt)：
pMOSFETを形成するためのSiの表面方位が(110)面の第1の領域と、nMOSFETを形成するためのSiの表面方位が(100)面の第2の領域と、を同一主面に有する基板と、 前記第1の領域上及び前記第2の領域上にそれぞれ、ゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、 前記第1の領域のゲート電極の両側に形成された第1のソース・ドレイン領域と、 前記第2の領域のゲート電極の両側に形成された第2のソース・ドレイン領域と、 前記第1のソース・ドレイン領域上に形成され、N原子の含有量が面密度で8.5×1013cm-2以上8.5×1014cm-2以下で、且つF原子の含有量が面密度で5.0×1012cm-2より少ない第1のシリサイド層と、 前記第2のソース・ドレイン領域上に形成され、F原子の含有量が面密度で5.0×1013cm-2以上の第2のシリサイド層と、 を具備したことを特徴とするMOS型半導体装置。
IPC (5)：
H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/265
FI (6)：
H01L27/08 321F ,  H01L27/08 321B ,  H01L27/08 321E ,  H01L21/28 301S ,  H01L29/50 M ,  H01L21/265 W
F-Term (57)：
4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB18 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB25 ,  4M104BB38 ,  4M104BB39 ,  4M104CC01 ,  4M104DD02 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD22 ,  4M104DD26 ,  4M104DD28 ,  4M104DD45 ,  4M104DD79 ,  4M104DD84 ,  4M104EE05 ,  4M104EE12 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF13 ,  4M104FF14 ,  4M104FF22 ,  4M104GG08 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG16 ,  4M104HH20 ,  5F048AA00 ,  5F048AA08 ,  5F048AA09 ,  5F048AC03 ,  5F048BA02 ,  5F048BA06 ,  5F048BA10 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BC01 ,  5F048BC05 ,  5F048BC15 ,  5F048BC18 ,  5F048BD04 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BF11 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F048DA23 ,  5F048DA27
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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