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J-GLOBAL ID:200903046164204737

太陽電池セル

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 深見 久郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996322451
Publication number (International publication number):1998163511
Application date: Dec. 03, 1996
Publication date: Jun. 19, 1998
Summary:
【要約】【課題】 テクスチャ構造を有する太陽電池の表面にバイパス用ダイオードを正確に能率よく形成する。【解決手段】 P型シリコン基板1の表面にテクスチャ構造13を有するN型領域2とその間に挟まれた平坦部22とを形成し、平坦部にP+ 型領域4を形成する。
Claim (excerpt):
受光面側に無反射表面形状と平坦部とを有する第1の導電型の基板と、前記基板の受光面側に形成された第2の導電型の領域と、第2の導電型の領域に形成した電極と、前記基板および第2の導電型の領域の双方に接しかつ前記電極と接触しないように配置された基板より高濃度の領域を有する太陽電池セルにおいて、前記の基板より高濃度の領域は、前記基板受光面側の平坦部に設けられていることを特徴とする太陽電池セル。

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