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J-GLOBAL ID：200903046165262064

面発光半導体レーザ

Inventor： 橋本 栄
Applicant, Patent owner： オリンパス光学工業株式会社
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996095375
Publication number (International publication number)：1997283844
Application date： Apr. 17, 1996
Publication date： Oct. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】高出力で低しきい値かつ安定な基本横モード発振が可能な面発光半導体レーザが得られない。【解決手段】半導体基板(11)上に少なくとも第1導電型の下部ミラー層(12)と、ダブルヘテロ構造を有する活性層(13)と、第2導電型の上部ミラー層(14)と、前記半導体基板と電気的に接続された第1の電極(17)と、前記第2導電型の上部ミラー層と電気的に接続された第2の電極(18)とを有する面発光半導体レーザにおいて、前記活性層(13)の周辺部が活性層(13)と異なる材料で構成され、さらに第2の電極(18)の少なくとも一部が第2導電型の上部ミラー層側面に形成されていることを特徴とする面発光半導体レーザ。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、少なくとも第1導電型の下部ミラー層と、ダブルヘテロ構造を有する活性層と、第2導電型の上部ミラー層と、前記半導体基板と電気的に接続された第1の電極と、前記第2導電型の上部ミラー層と電気的に接続された第2の電極とを有する面発光半導体レーザにおいて、前記活性層の周辺部が活性層と異なる材料で構成され、さらに第2の電極の少なくとも一部が第2導電型の上部ミラー層側面に形成されていることを特徴とする面発光半導体レーザ。