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J-GLOBAL ID：200903046167063107
III -V族化合物半導体結晶成長法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994038034
Publication number (International publication number)：1995249581
Application date： Mar. 09, 1994
Publication date： Sep. 26, 1995
Summary：
【要約】【目的】 III -V族化合物半導体結晶成長法に関し、HBT等のベース層とエミッタ層を形成するIII -V族化合物半導体層を同一温度で成長することができる手段を提供する。【構成】 ハロゲン化炭素とV族有機化合物を同時に供給してIII -V族化合物半導体にカーボンをドープしてエピタキシャル成長する。この場合、ハロゲン化炭素として四臭化炭素を、V族有機化合物としてトリメチルアルシンを用いると好適である。またこの場合、III 族元素としてガリウムが含まれる場合、そのガリウム原料としてトリエチルガリウムを用いると好適である。
Claim (excerpt)：
ハロゲン化炭素とV族有機化合物を同時に供給して、III -V族化合物半導体にカーボンをドープすることを特徴とするIII -V族化合物半導体結晶成長法。
IPC (4)：
H01L 21/205
, H01L 29/205
, H01L 21/331
, H01L 29/73
