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J-GLOBAL ID：200903046169113187

半導体製造装置

Inventor： 奥村 健治 ,  大森 宣典 ,  奥 秀彦 ,  藤崎 芳久 ,  芳賀 徹 ,  宮田 敏光
Applicant, Patent owner： 大同ほくさん株式会社 ,  株式会社日立製作所
Agent (1)： 西藤 征彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992239719
Publication number (International publication number)：1994132223
Application date： Sep. 08, 1992
Publication date： May. 13, 1994
Summary：

【要約】【目的】 構造が簡単で、しかも反応ガスの利用効率が高く基板上での半導体結晶の成長速度が速い半導体製造装置を提供する。【構成】 反応室6の底板21の、底板中心を中心とする同一円周上に、複数のガス吐出口27を等配で形成し、これらのガス吐出口27に、上記反応室底板21の下側に設けられた第1の反応ガス混合空間を経由して第1の反応ガスを供給し、かつ上記反応室6の側方から周壁20を貫通し反応室6内部の中央まで延びる第2の反応ガス供給配管29を配設し、この配管29の先端外周部に設けられた複数個のガス吐出小孔29aから、反応室6中央部に第2の反応ガスを供給するようにした。

Claim (excerpt)：

高度に真空になし得る真空室と、上記真空室内に設けられ底板と周壁と天板とからなる反応室と、上記反応室の天板に形成され基板表面を反応室内に向けた状態で保持しうる段差付開口と、上記反応室の底部側から反応室内に反応ガスを供給する反応ガス供給手段と、上記反応室天板の開口に保持された基板に裏面側から輻射熱を与える加熱手段とを備えた半導体製造装置であって、上記反応室底板の、底板中心を中心とする同一円周上に、複数のガス吐出口が等配で形成され、これらのガス吐出口に、上記反応室底板の下側に設けられた第1の反応ガス混合空間を経由して第1の反応ガスが供給されるようになっており、かつ上記反応室の側方から周壁を貫通し反応室内部の中央まで延びる第2の反応ガス供給配管が配設され、この第2の反応ガス供給配管の先端外周部に設けられた複数個のガス吐出小孔から、反応室中央部に第2の反応ガスが供給されるようになっていることを特徴とする半導体製造装置。