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J-GLOBAL ID：200903046177054335

半導体装置

Inventor： 乾田 昌功
Applicant, Patent owner： 株式会社豊田自動織機製作所
Agent (1)： 大菅 義之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992269909
Publication number (International publication number)：1994120523
Application date： Oct. 08, 1992
Publication date： Apr. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明は半導体装置に関し、製造工程を複雑にさせることなくリカバリー特性の良好なダイオードを内蔵した半導体装置を得ることを目的とする。【構成】 本発明の半導体装置1は、トランジスタが形成されたn- ベース領域2内にダイオードの形成を担う複数の島状のp+ 領域7、7、7、7を隣接させて形成し、各島状のp+ 領域7を前記トランジスタ1のソース電極9に接合して形成している。

Claim (excerpt)：

トランジスタが形成された基体内にダイオードの形成を担う複数の島状領域を互いに隣接させて形成し、各島状領域を前記トランジスタのソース電極又はエミッタ電極に接続して形成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/804 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

FI (2)：

H01L 29/80 V ,  H01L 29/72