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J-GLOBAL ID：200903046178337519

面発光半導体レーザ

Inventor： 小路 元
Applicant, Patent owner： 技術研究組合新情報処理開発機構 ,  富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995037919
Publication number (International publication number)：1996236852
Application date： Feb. 27, 1995
Publication date： Sep. 13, 1996
Summary：

【要約】【目的】 面発光半導体レーザに関し、簡便に基本横モードのビームを得ることができるとともに、内部抵抗の増大を回避できる手段を提供する。【構成】 n型半導体基板1の上に形成されたn側反射膜2とp側反射膜6に挟まれた、n側クラッド層3、光共振器内にノンドープ活性層4、p側クラッド層5を有し、p側反射膜6にはp側電極7を有し、n型半導体基板1には、例えば基本横モードの光ビーム径の1.5倍を超えない直径の光放射用の開口部81 をもったn側電極8を有し、この開口部81 には、ノンドープ活性層4からの発光のうち基本横モードに対応する波長近傍の光に対して高い透過率を有する誘電体多層膜または半導体多層膜からなる波長フィルタ9を有する構成とした。また、上記とは逆に、p側反射膜の上に光放射用の開口部をもったp側電極を形成し、その開口に上記の透過帯域を有する波長フィルタを設けることもできる。

Claim (excerpt)：

半導体基板の上に1対の反射膜を有し、該1対の反射膜に挟まれた光共振器内に活性層を有し、該反射膜側には電極を有し、該半導体基板側には光出射用の開口部をもった電極を有し、該開口部には活性層からの発光のうち、基本横モードに対応する波長近傍の光に対して高い透過率を有する波長フィルタを有することを特徴とする面発光半導体レーザ。