Pat
J-GLOBAL ID:200903046179805974
半導体集積回路装置の製造方法および半導体集積回路装置
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
筒井 大和
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001195987
Publication number (International publication number):2003017467
Application date: Jun. 28, 2001
Publication date: Jan. 17, 2003
Summary:
【要約】【課題】 エッチングストッパ膜としてSiC膜が形成された絶縁膜にエッチングにより配線溝または接続孔を形成する工程において、マスクとなるフォトレジスト膜を確保する技術を提供する。【解決手段】 絶縁膜17、キャップ絶縁膜18、エッチングストッパ膜19、絶縁膜20およびキャップ絶縁膜21が積層されてなる絶縁膜に、フォトレジスト膜26をマスクとしたエッチングにより開孔部27を形成する工程において、エッチングストッパ膜19のエッチング工程時には相対的にエッチングガス中のO2ガスの流量を増加させ、キャップ絶縁膜21、絶縁膜20、キャップ絶縁膜18および絶縁膜17のエッチング工程時には相対的にエッチングガス中のO2ガスの流量を減少させる。
Claim (excerpt):
(a)半導体基板上に下層から酸化シリコンを主成分とする第1絶縁膜、炭化シリコンを主成分とする第2絶縁膜および酸化シリコンを主成分とする第3絶縁膜を積層する工程、(b)前記第3絶縁膜上に感光性のマスキング層を形成する工程、(c)前記マスキング層をマスクとし、フロロカーボン系ガス、酸素系ガスおよび不活性ガスを含む第1エッチングガスを用いて前記第3絶縁膜をエッチングする工程、(d)前記マスキング層をマスクとし、フロロカーボン系ガス、酸素系ガスおよび不活性ガスを含む第2エッチングガスを用いて前記第2絶縁膜をエッチングする工程、(e)前記マスキング層をマスクとし、フロロカーボン系ガス、酸素系ガスおよび不活性ガスを含む第1エッチングガスを用いて前記第1絶縁膜をエッチングする工程、を含み、前記第1エッチングガスが含む酸素系ガスの流量は、前記第2エッチングガスが含む酸素系ガスの流量より相対的に小さく、前記(e)工程後に前記マスキング層を残す流量とすることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
IPC (3):
H01L 21/3065
, H01L 21/28
, H01L 21/768
FI (5):
H01L 21/28 F
, H01L 21/28 L
, H01L 21/302 J
, H01L 21/90 A
, H01L 21/90 J
F-Term (114):
4M104AA01
, 4M104BB01
, 4M104BB04
, 4M104BB17
, 4M104BB30
, 4M104BB31
, 4M104BB40
, 4M104CC01
, 4M104DD08
, 4M104DD15
, 4M104DD16
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, 4M104DD38
, 4M104DD43
, 4M104DD52
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, 4M104DD75
, 4M104DD78
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, 4M104FF13
, 4M104FF17
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, 4M104GG09
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, 4M104GG14
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, 4M104HH13
, 4M104HH20
, 5F004CA02
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, 5F004EA23
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, 5F033HH12
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, 5F033XX24
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, 5F033XX28
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