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J-GLOBAL ID：200903046195407253
半導体装置およびその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
青山 葆 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996187330
Publication number (International publication number)：1998032196
Application date： Jul. 17, 1996
Publication date： Feb. 03, 1998
Summary：
【要約】【課題】 耐湿性があり、かつ比誘電率が3.0以下で、平坦性に優れた絶縁薄膜を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板上の金属配線上に配置される絶縁薄膜を、F、Nを含む環状炭化水素、特にそのポリマーより形成する。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に設けられた金属配線を被覆するように形成された絶縁薄膜を含む半導体装置であって、上記絶縁薄膜が、F、Nを含む環状炭化水素より形成され、その比誘電率が3.0以下であることを特徴とする半導体装置。
Patent cited by the Patent：
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