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J-GLOBAL ID：200903046203737896

GaN系電界効果トランジスタ

Inventor： 吉田 清輝 ,  佐々木 正行
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社
Agent (2)： 長門 侃二 ,  山中 純一
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2003001934
Publication number (International publication number)：WO2003071607
Application date： Feb. 21, 2003
Publication date： Aug. 28, 2003
Summary：

本発明によれば、ノーマリオフ型で、動作時のオン抵抗が非常に小さく大電流動作が可能な、新規のGaN系電界効果トランジスタが提供される。本発明に係るGaN系電界効果トランジスタは、ソース電極とドレイン電極;i-GaN系半導体材料またはp-GaN系半導体材料である第1のGaN系半導体材料からなり前記ソース電極およびドレイン電極と電気的に接続して形成されるチャネル部;前記第1のGaN系半導体材料よりバンドギャップエネルギーが大きい第2のGaN系半導体材料からなり、前記チャネル部と接合し、互いに離隔された第1および第2の電子供給部;前記第1および第2の電子供給部の間に位置する前記チャネル部の表面上に形成される絶縁層;ならびに前記絶縁層上に形成されるゲート電極を具備する。

Claim (excerpt)：

ソース電極とドレイン電極; i-GaN系半導体材料またはp-GaN系半導体材料である第1のGaN系半導体材料からなり前記ソース電極およびドレイン電極と電気的に接続して形成されるチャネル部; 前記第1のGaN系半導体材料よりバンドギャップエネルギーが大きい第2のGaN系半導体材料からなり、前記チャネル部と接合し、互いに離隔された第1および第2の電子供給部; 前記第1および第2の電子供給部の間に位置する前記チャネル部の表面上に形成される絶縁層; ならびに 前記絶縁層上に形成されるゲート電極を具備するGaN系電界効果トランジスタ。

IPC (4)：

H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/80 ,  H01L29/812

FI (2)：

H01L29/80 H ,  H01L29/80 V