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J-GLOBAL ID：200903046212522878

有機EL用薄膜製造装置および方法

Inventor： 森田 達夫
Applicant, Patent owner： 森田 達夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001402147
Publication number (International publication number)：2003163082
Application date： Nov. 26, 2001
Publication date： Jun. 06, 2003
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 ITO表面を酸素ラジカルで清浄化すること、および保護膜としてシリコン窒化膜およびシリコン酸化膜をリモートプラズマCVD法で形成すること、および金属Mgを酸素ラジカルで酸化し、保護膜としてのMgO膜を形成することを目的とする。【解決手段】 ガラス基板入出用ロードロック室2個11,14、ITO表面処理用リモートプラズマ室2、ITOスパッタ蒸着室3、ホール注入層蒸着室4、ホール輸送層蒸着室5、赤色発光層蒸着室6、緑色発光層蒸着室7、青色発光層蒸着室8、陰電極蒸着室2個、SiN層形成用リモートプラズマCVD室11、Mg蒸着室12、Mg酸化およびSiO2層形成用リモートプラズマCVD室13、を具備した有機EL用連続成膜装置。

Claim (excerpt)：

ホール輸送層、ホール注入層、発光層、電子輸送層、電子注入層およびカソード電極層を形成し、さらに封止を真空中で連続して行う有機EL用製造プロセスにおいて用いられるべく、リモートプラズマ発生部を有するCVD機能を、マルチチャンバー方式もしくはインライン方式において具備してなることを特徴とする有機EL製造装置。

IPC (5)：

H05B 33/10 ,  C23C 16/452 ,  H05B 33/04 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/28

FI (5)：

H05B 33/10 ,  C23C 16/452 ,  H05B 33/04 ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/28

F-Term (23)：

3K007AB04 ,  3K007AB11 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007CA01 ,  3K007CB01 ,  3K007DB03 ,  3K007EA01 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01 ,  4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030BB12 ,  4K030CA06 ,  4K030FA01 ,  4K030HA01 ,  4K030KA01 ,  4K030KA08 ,  4K030KA30 ,  4K030LA18