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J-GLOBAL ID：200903046215389346
半導体レーザ及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992354578
Publication number (International publication number)：1994181363
Application date： Dec. 15, 1992
Publication date： Jun. 28, 1994
Summary：
【要約】【目的】 容易に製造可能な、高出力動作時においても光学的な端面破壊が生じにくい半導体レーザを得る。【構成】 量子井戸構造の活性層3を有する半導体レーザにおいて、両端面近傍の活性層31の井戸層36の厚さを、端面よりも内部の活性層32の井戸層38の厚さよりも薄くした。
Claim (excerpt)：
相互に対向する一対の共振器端面と、該端面間に配置された量子井戸構造の活性層を有する半導体レーザにおいて、上記両端面近傍の上記活性層の井戸層の厚さが、端面よりも内部の上記活性層の井戸層の厚さよりも薄いことを特徴とする半導体レーザ。
Patent cited by the Patent：
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