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J-GLOBAL ID：200903046217558714
化学気相成長方法ならびにそのための化学気相成長処理システムおよび化学気相成長装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高田 守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991330328
Publication number (International publication number)：1993166734
Application date： Dec. 13, 1991
Publication date： Jul. 02, 1993
Summary：
【要約】【目的】 反応副生成物が反応ガス導入孔の周辺に堆積し難くする。【構成】 多数の不活性ガス噴出孔25を設けた環状の不活性ガス噴出部材26を反応ガス導入孔12の周辺に設けている。不活性ガスが不活性ガス噴出孔25から排気口13に向かって噴出する。反応空間4からの排ガスの流れをこの不活性ガスが助長しつつ、排気通路13に向かって勢い良く流動する。このため、排ガスに含まれる反応副生成物22が反応ガス導入孔の周辺23の近辺に多く堆積することなく速やかに排気通路13へ排出される。【効果】 反応副生成物が反応ガス導入孔の周辺に堆積し難くなる。
Claim (excerpt)：
反応ガスを被処理基板に供給し、前記反応ガスの化学反応により、前記基板の主面上に所定の組成を有した膜を形成させる化学気相成長方法であって、(a)前記化学反応を行う反応空間を外気から隔絶する工程と、(b)前記反応空間に連通する排気通路を確立する工程と、(c)前記反応空間に前記基板を加熱しつつ支持する工程と、(d)前記基板の前記主面に向けて開口した反応ガス導入孔から前記主面に向けて前記反応ガスを噴出し、前記反応ガスの前記化学反応によって前記膜を前記主面上に成長させる工程と、(e)前記反応ガス導入孔の周辺に設けられ、実質的に前記排気通路に向いて開口した不活性ガス噴出孔から不活性ガスを噴出する工程と、(f)前記反応ガスから生じる排ガスと前記不活性ガスとを前記排気通路を通じて排気する工程と、を備える化学気相成長方法。
IPC (4)：
H01L 21/205
, C30B 25/08
, C30B 25/14
, H01L 21/31
Cited by examiner (8)
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