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J-GLOBAL ID：200903046220103604

高周波モジュールおよび高周波モジュールの製造方法

Inventor： 石川 修 ,  前田 昌宏
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997153934
Publication number (International publication number)：1998070159
Application date： Jun. 11, 1997
Publication date： Mar. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】 部品点数およびサイズが低減され、かつ製造の自動化が容易な高周波モジュールを提供する。【解決手段】 第1主面上に第1金属膜を、第1主面に対向する第2主面上に第2金属膜を有する絶縁基板と、半導体素子と、を備えた高周波モジュールであって、半導体素子は、第2金属膜と熱的かつ電気的に結合されており、第2金属膜の厚さは、第1金属膜の厚さよりも大きい。

Claim (excerpt)：

第1主面上に第1金属膜を、該第1主面に対向する第2主面上に第2金属膜を有する絶縁基板と、半導体素子と、を備えた高周波モジュールであって、該半導体素子は、該第2金属膜と熱的かつ電気的に結合されており、該第2金属膜の厚さは、該第1金属膜の厚さよりも大きい高周波モジュール。

IPC (3)：

H01L 21/60 321 ,  H01L 25/04 ,  H01L 25/18

FI (2)：

H01L 21/60 321 X ,  H01L 25/04 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭61-193462
  
• 特開平4-056142
  
• 特開昭53-108280
  
• 特開昭62-011241