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J-GLOBAL ID：200903046233539053

半導体ウエハ製造方法及び装置

Inventor： 黛 雅典 ,  今井 正人 ,  井上 和俊 ,  中原 信司
Applicant, Patent owner： 株式会社スーパーシリコン研究所
Agent (1)： 佐藤 正年 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998064527
Publication number (International publication number)：1999251254
Application date： Feb. 27, 1998
Publication date： Sep. 17, 1999
Summary：

【要約】【課題】 ウエハの搬送中に予備加熱を行い、結晶欠陥の生じない高品質な半導体ウエハを製造する。【解決手段】 半導体ウエハ基板を、予め定められた成長温度で加熱した状態でエピタキシャル成長させるエピタキシャル成長炉と、半導体ウエハ基板を前記エピタキシャル成長炉内へ搬送する搬送手段とを有する半導体ウエハ製造装置において、前記搬送手段が、搬送中の半導体ウエハ基板を所定温度に加熱する予備加熱手段を有することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体ウエハ基板を予め定められた成長温度で加熱した状態でエピタキシャル成長させる半導体ウエハ製造方法において、前記半導体ウエハ基板をエピタキシャル成長させるエピタキシャル成長炉への搬送工程中に、半導体ウエハ基板を所定温度に加熱しながら搬送する予備加熱工程を備えたことを特徴とする半導体ウエハ製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/10 ,  H01L 21/68 ,  C30B 29/06 504

FI (4)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/10 ,  H01L 21/68 A ,  C30B 29/06 504 D