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J-GLOBAL ID:200903046235758437

微細加工したナノスプレー電極システム

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 谷 義一 ,  阿部 和夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006197964
Publication number (International publication number):2007027131
Application date: Jul. 20, 2006
Publication date: Feb. 01, 2007
Summary:
【課題】ナノスプレーキャピラリニードル、1組の電極、および質量分析器へのキャピラリ入力部を位置合わせする方法を提供すること。【解決手段】この電極システムは、微細加工技術を利用して、2つの別々のチップからなるアセンブリとして形成される。各チップは、絶縁プラスチック基板上に形成される。第1のチップは、キャピラリエレクトロスプレーニードルおよびAPI質量分析器入力部用の機械的位置合わせフィーチャを、1組の部分電極と共に担持する。第2のチップは、1組の部分電極を担持する。完全な電極システムは、これらのチップがスタック構成で組み立てられるときに形成され、テイラーコーンのきっかけをつくることができ、かつ集束させることによって電気的中性物からイオンを分離し得るアインツェルレンズを含む。【選択図】図1
Claim (excerpt):
ナノスプレー源と質量分析器を結合するための単一チップ上に設けられる微細加工したナノスプレーイオン化装置であって、 キャピラリ入力部と協働する第1位置合わせフィーチャと、 キャピラリ出力部と協働する第2位置合わせフィーチャと、 前記キャピラリ入力部とキャピラリ出力部の間のイオン経路を画定するオリフィスと、 を備え、 前記イオン経路にほぼ直交する向きに設けられた少なくとも1つの導電電極をさらに備え、 前記第1位置合わせフィーチャ、前記第2位置合わせフィーチャ、前記オリフィス、および前記少なくとも1つの電極は、それぞれ前記チップ内に一体に形成される ことを特徴とする微細加工したナノスプレーイオン化装置。
IPC (2):
H01J 49/10 ,  G01N 27/62
FI (3):
H01J49/10 ,  G01N27/62 G ,  G01N27/62 X
F-Term (18):
2G041CA01 ,  2G041DA05 ,  2G041DA18 ,  2G041EA04 ,  2G041GA02 ,  2G041GA03 ,  2G041GA06 ,  2G041GA08 ,  2G041GA20 ,  2G041HA01 ,  2G041HA02 ,  5C038GG08 ,  5C038GH02 ,  5C038GH03 ,  5C038GH09 ,  5C038GH11 ,  5C038GH13 ,  5C038HH02
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (5)
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