貼り合わせSOI基板の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：村上友一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995051818
Publication number (International publication number)：1996222715
Application date： Feb. 16, 1995
Publication date： Aug. 30, 1996
Summary：

【要約】【目的】膜厚の薄い表面酸化膜を介して貼り合わせるSOI基板の製造において、貼り合わせ界面に前記表面酸化膜厚より大きなパーティクルが付着した場合でも接着強度を低下させず、かつ、ボイドを低減させ、また、基板の反りと、貼り合わせ界面準位密度とをともに低減させることができるようにする。【構成】表面酸化膜のない表面活性シリコン層側単結晶シリコン基板2と、厚さ100nm以下の表面酸化膜3を有するベース側単結晶シリコン基板1とを貼り合わせ、アニールにより貼り合わせをを完了する。次に、表面活性シリコン層側単結晶シリコン基板2の表面を研磨し、厚さ1.0μm程度の活性層4を形成する。前記SOI基板6を、1%を超えるO2 ガス雰囲気中で1150°C以上、基板の融点未満の温度で数時間酸化処理する。埋め込み酸化膜5の上面に埋め込み酸化膜増加分7が形成されるので、貼り合わせ界面のボイドが低減するとともに、接着強度はバルクと同等になる。また、貼り合わせ界面準位密度をバルクと同等の値まで低下させることができる。

Claim (excerpt)：

表面酸化単結晶シリコン基板と単結晶シリコン基板とを貼り合わせ接合することにより埋め込み酸化膜を設け、前記単結晶シリコン基板側を研磨してこれを表面活性シリコン層とするSOI基板を形成し、このSOI基板を高温酸素雰囲気中で酸化処理を行うことにより埋め込み酸化膜を成長させ、表面活性シリコン層と埋め込み酸化膜との界面を貼り合わせ面から移動形成することを特徴とする貼り合わせSOI基板の製造方法。

IPC (2)：

H01L 27/12 , H01L 21/02

FI (2)：

H01L 27/12 B , H01L 21/02 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

半導体基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-129605 Applicant：株式会社東芝

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