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J-GLOBAL ID:200903046247524768

電界発光素子の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 杉村 次郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998122726
Publication number (International publication number):1999307248
Application date: Apr. 17, 1998
Publication date: Nov. 05, 1999
Summary:
【要約】【課題】 各構成層の段切れのない平坦な構造の電界発光素子を提供する。【解決手段】 ガラス基板11上の所定の画素位置に青色変換膜13を形成し、その後、平坦化膜14を形成しこの平坦化膜14の所定の画素位置に開口部を形成する。この開口部内に赤色変換膜15Aを形成することにより、赤色変換膜15Aが平坦化膜14から突出する長さを抑えることができ、その上に形成される保護膜17で平坦に覆うことができる。このように平坦であるため、前面電極18A、有機EL層20、背面電極21を成膜する際に段切れを起こすことなく形成することができる。
Claim (excerpt):
第1色変換膜及び第2色変換膜を有する電界発光素子の製造方法において、透明基板上の所定位置に、第1色変換膜をパターン形成する工程と、前記透明基板上に、所定の箇所に開口部を有する絶縁膜を形成する工程と、前記開口部に、上部が露出するように第2色変換膜を形成する工程と、を備えることを特徴とする電界発光素子の製造方法。
IPC (3):
H05B 33/10 ,  H05B 33/12 ,  H05B 33/22
FI (3):
H05B 33/10 ,  H05B 33/12 E ,  H05B 33/22 Z
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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