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J-GLOBAL ID：200903046248721230
半導体記憶媒体、半導体記憶媒体への非接触電源供給方法および供給装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
志村 浩
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994082347
Publication number (International publication number)：1995271941
Application date： Mar. 29, 1994
Publication date： Oct. 20, 1995
Summary：
【要約】【目的】 リーダライタ装置側のコイルとICカード側のコイルとの相対位置関係が変動しても、常に安定した電源供給を行う。【構成】 リーダライタ装置側からの搬送波をコイル201で受け、整流器202で整流し、リプルフィルタ203で平滑し、レギュレータ204で安定化して電源電圧Vccを得る。基準電圧発生器211は、常に一定の基準電圧V<SB>R</SB>を発生する。比較器212は、分圧電圧V ́とV<SB>R</SB>とを比較し、比較結果は、制御信号発生器213から制御信号Pとして出力される。この制御信号Pは、変調器220を介してリーダライタ装置側に伝送される。リーダライタ装置側では、制御信号Pに基き、V ́<V<SB>R</SB>の場合には、搬送波のエネルギーを増加させ、V ́>V<SB>R</SB>の場合には、搬送波のエネルギーを減少させるフィードバック制御を行う。
Claim (excerpt)：
外部装置から半導体記憶媒体に対して電磁波エネルギーを送波し、この電磁波エネルギーに基いて前記半導体記憶媒体内で必要な電源電圧を生成することにより、両者間を物理的に非接触な状態に保ちながら電源供給を行う非接触電源供給方法において、前記半導体記憶媒体側では、送波された電磁波エネルギーに基いて生成された電圧と所定の基準電圧とを比較し、この比較結果を前記外部装置に対して送信するようにし、前記外部装置側では、受信した前記比較結果に応じて、前記生成電圧が前記基準電圧よりも小さい場合には、送波する電磁波エネルギーの大きさを増加させ、前記生成電圧が前記基準電圧よりも大きい場合には、送波する電磁波エネルギーの大きさを減少させるような制御を行うことを特徴とする半導体記憶媒体への非接触電源供給方法。
IPC (2)：
FI (2)：
G06K 19/00 J
, G06K 19/00 H
