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J-GLOBAL ID：200903046250368742
エレクトロルミネツセンス素子の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
藤村 元彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991154933
Publication number (International publication number)：1993003077
Application date： Jun. 26, 1991
Publication date： Jan. 08, 1993
Summary：
【要約】【目的】 クロストークの発生の少ないEL素子を簡素な工程で製造する。【構成】 透明基板上における互いに対向するカソード電極と透明なアノード電極との電極対の複数と電極対間に配置されたEL層とを有し、EL層の電極対によって挾まれる複数の部分を発光領域とするEL素子の製造方法であって、アノード電極、EL層及び金属層を形成後、集光レーザビームの焦点をアノード電極のEL層側境界面から金属層の外側境界面までに位置させつつ集光レーザビームを走査して、少なくともEL層及び金属層の一部を切削してアノード電極と交差する複数の帯状EL層及び帯状カソード電極を互いに平行に形成するカソード電極形成工程とを含む。
Claim (excerpt)：
基板上における互いに対向する複数のカソード電極及びアノード電極の電極対と前記電極対間に配置されたエレクトロルミネッセンス層とを有し、前記エレクトロルミネッセンス層の前記電極対によって挾まれる複数の部分を発光領域とするエレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、基板上に第1電極材料層からなる複数の帯状アノード電極を互いに平行に形成するアノード電極形成工程と、前記アノード電極上にエレクトロルミネッセンス層を成膜するエレクトロルミネッセンス層形成工程と、前記エレクトロルミネッセンス層上に第2電極材料層を成膜する第2電極材料層形成工程と、集光レーザビームの焦点を前記アノード電極の前記エレクトロルミネッセンス層側境界面から前記第2電極材料層の外側境界面までに位置させつつ集光レーザビームを走査して、少なくとも前記エレクトロルミネッセンス層及び前記2電極材料層の一部を切削して前記アノード電極と交差する複数の帯状エレクトロルミネッセンス層及び帯状カソード電極を互いに平行に形成するカソード電極形成工程とを含むことを特徴とする製造方法。
IPC (3)：
H05B 33/10
, H05B 33/22
, H05B 33/26
