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J-GLOBAL ID：200903046258812498
ゼラチン-アミノデキストラン被膜を有する粒子およびその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
杉村 暁秀 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1994510274
Publication number (International publication number)：1996502443
Application date： Oct. 14, 1993
Publication date： Mar. 19, 1996
Summary：
【要約】イムノアッセイにおいて有用であるゼラチンおよびアミノデキストランで被覆した粒子並びにその製造方法を開示する。アミノ基で置換された出発デキストラン糖類の3.3〜16.5%の変化を有するアミノデキストランの製造方法並びに安定剤を用いずにゼラチンおよびアミノデキストランを架橋させる方法を記載する。被覆した粒子の核材料は、ゼラチン/アミノデキストラン被膜を有する磁性材料あるいは、ゼラチン/アミノデキストラン被膜またはアミノデキストラン被膜のいずれかを有する磁性または非磁性材料とすることができる。
Claim (excerpt)：
複数の側官能基を有する表面被膜を有する別個のコロイド粒子において、 上記粒子が: (a)(i)磁性材料のみ、 (ii)表面アミン反応性基を有する磁性または非磁性のいずれかの重合体物質、および (iii)表面アミン反応性官能基を有しない磁性または非磁性のいずれかの重合体物質から成る群から選択された固体、非ゼラチン、非アミノデキストラン核; (b)(i)B型、ブルーム数60〜225のアルカリ硬化ゼラチンおよび (ii)A型、ブルーム数60〜300の酸硬化ゼラチンおよび (iii)アミノデキストランから成る群から選択された少なくとも1種の物質の第1被覆層; (c)上記第1被覆層が上記A型またはB型ゼラチンである際には第2アミノデキストラン被覆層:および (d)最後の被膜に共有結合した側官能基を有し: 上記核物質上の被膜が: (I)上記核物質が表面アミン反応性基を有しない際には、化学架橋剤の作用により架橋されているかまたは (II)第1被覆層が表面アミン反応性基を有する核物質の表面を被覆するアミノデキストランである際には、化学架橋剤により架橋されていないかまたは架橋されており、上記被膜は上記アミノデキストランの共有結合により上記核の表面に、上記アミン反応性基と上記アミノデキストランアミノ基との間の反応により結合していることを特徴とする別個のコロイド粒子。
IPC (11)：
B01J 13/00
, B03C 1/00
, C07K 14/78
, C07K 16/00
, C07K 17/10
, C07K 19/00
, C12N 11/02
, G01N 33/544
, G01N 33/545
, G01N 33/553
, A61K 39/44
Cited by applicant (9)
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