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J-GLOBAL ID：200903046260780650

プラズマCVD成膜方法

Inventor： 高橋 喜代司 ,  村居 幹夫 ,  小田桐 優 ,  植田 英之 ,  大地 幸和 ,  樋渡 竜也
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993064925
Publication number (International publication number)：1994013335
Application date： Mar. 24, 1993
Publication date： Jan. 21, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明はプラズマCVD法による薄膜の製造方法に関するものであり、接着強度が高く、かつ欠陥の少ない薄膜を各種基板上に形成すること。【構成】 真空槽32内の放電管26とその周囲に隔壁29を設け、これらの空間を真空ポンプ31で排気し、プラズマ用電源30からの電圧と、原料ガス導入口28からの原料ガスによりプラズマ発生用電極27よりプラズマ放電を発生させ、磁気テープ20上にダイヤモンド状炭素膜を形成することにより、未反応ガスによる汚染および急激な圧力変化による異常放電を防止することができ、接着強度が高く、かつ欠陥の少ないダイヤモンド状炭素膜を得ることができる。

Claim (excerpt)：

真空槽内に放電管を設け、さらに前記放電管の周囲を囲む隔壁を設け、かつ前記放電管と前記隔壁との空間を真空排気し、前記放電管に対向して基板を設け、プラズマ放電により、前記基板上に薄膜を形成することを特徴とするプラズマCVD成膜方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31