Pat
J-GLOBAL ID：200903046262192127
パッケ-ジされた半導体レ-ザおよびその作成方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山元 俊仁
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994184136
Publication number (International publication number)：1995147457
Application date： Jul. 14, 1994
Publication date： Jun. 06, 1995
Summary：
【要約】【目的】 レ-ザを汚染による損傷から保護すること。【構成】 ハイパワ-半導体レ-ザのためのパッケ-ジが酸素を含んだ乾燥したガス媒体を充填され気密シ-ルされた容器よりなる。このパッケ-ジは有機不純物に対するゲッタ-をも具備しうる。またこのパッケ-ジの材料の水素含有量は高温で長時間、例えば150°Cで200時間焼成することによって還元されうる。
Claim (excerpt)：
パッケ-ジされた半導体レ-ザにおいて、レ-ザまたはハイパワ-半導体レ-ザと、有機不純物を吸着または吸収するための必要に応じたゲッタ-と、前記レ-ザと前記必要に応じたゲッタ-を包囲した気密シ-ルされた容器を具備しており、前記容器は酸素含有量が100ppm以上であるガス媒体を充填されているパッケ-ジされた半導体レ-ザ。
Patent cited by the Patent：
Return to Previous Page
