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J-GLOBAL ID：200903046264138359

半導体集積回路装置

Inventor： 目黒 怜
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 秋田 収喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998366742
Publication number (International publication number)：2000196091
Application date： Dec. 24, 1998
Publication date： Jul. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】 半導体集積回路装置の高集積化を図る。【解決手段】 半導体層の活性領域上をゲート絶縁膜を介して延在し、一部が前記半導体層の非活性領域(コンタクト領域)上に引き出されたゲート電極と、前記ゲート電極と対向して前記半導体層の活性領域に形成され、前記半導体層の非活性領域と電気的に接続されたチャネル形成領域とを有し、前記ゲート電極と前記チャネル形成領域とが電気的に接続される電界効果トランジスタを備えた半導体集積回路装置であって、前記ゲート電極は前記半導体層の非活性領域に直に接続されている。

Claim (excerpt)：

半導体層の活性領域上をゲート絶縁膜を介して延在し、一部が前記半導体層の非活性領域上に引き出されたゲート電極と、前記ゲート電極と対向して前記半導体層の活性領域に形成され、前記半導体層の非活性領域と電気的に接続されたチャネル形成領域とを有し、前記ゲート電極と前記チャネル形成領域とが電気的に接続される電界効果トランジスタを有する半導体集積回路装置であって、前記ゲート電極は前記半導体層の非活性領域に接続されていることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088

FI (2)：

H01L 29/78 617 J ,  H01L 27/08 102 C

F-Term (43)：

5F048AA08 ,  5F048AB01 ,  5F048AB03 ,  5F048AC01 ,  5F048BA16 ,  5F048BB02 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB12 ,  5F048BB15 ,  5F048BC06 ,  5F048BE08 ,  5F048BF02 ,  5F048BG01 ,  5F048BG05 ,  5F048BG07 ,  5F048DA25 ,  5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110BB04 ,  5F110BB05 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE10 ,  5F110EE14 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF22 ,  5F110GG02 ,  5F110HJ01 ,  5F110HK05 ,  5F110HK32 ,  5F110HL03 ,  5F110HL06 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN40 ,  5F110NN62 ,  5F110QQ11