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J-GLOBAL ID：200903046265958341

成膜又はエッチング装置

Inventor： 塩見 弘
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996193558
Publication number (International publication number)：1997111461
Application date： Jul. 23, 1996
Publication date： Apr. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】 プラズマによる窓への加熱やスパッタを生じさせず、比較的高い圧力下でも安定してプラズマを維持する。【解決手段】 反応炉が、(1)マイクロ波又は高周波の電磁波を反応炉に導入するための導入窓と、(2)該マイクロ波又は高周波の電磁波によってガスを励起することにより、基材に対して成膜又はエッチングが行われる反応層と、(3)反応層と導入窓との間に設けられ、反応炉の圧力よりも高い圧力を有する中間層とを備え、中間層内のガスが、該マイクロ波又は高周波の電磁波によって励起されないことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

マイクロ波又は高周波の電磁波を導入窓から反応炉内に導入し、反応炉内のガスを励起してプラズマを発生させて、基材に対して成膜又はエッチングを行う処理装置であって、成膜又はエッチングを行うための反応炉と、前記反応炉内へガスを導入するためのガス導入手段と、前記反応炉内からガスを排出するためのガス排出手段と、前記反応炉内へ該電磁波を導入するための電磁波導入手段とを備え、前記反応炉は、前記反応炉のコンダクタンスを調整するコンダクタンス調整手段により、前記基材が配置される基材保持手段を備える反応領域と前記導入窓側の中間領域とに区画され、前記ガス導入手段は前記中間領域に接続し、前記ガス排出手段は前記反応領域に接続し、該ガスは前記中間領域から前記コンダクタンス調整手段を介して前記反応領域へ流入し、前記中間領域のガス圧は、該ガスが該マイクロ波又は高周波の電磁波によって励起されない圧力であって前記反応領域よりも高い圧力に設定されることを特徴とする処理装置。

IPC (8)：

C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  C30B 29/04 ,  C30B 33/12 ,  C30B 35/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

FI (9)：

C23C 16/50 ,  C23F 4/00 D ,  C23F 4/00 A ,  C30B 29/04 V ,  C30B 33/12 ,  C30B 35/00 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 B ,  H01L 21/302 B