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J-GLOBAL ID：200903046272923898
透明導電膜の形成方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
北村 欣一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992112880
Publication number (International publication number)：1993306457
Application date： May. 01, 1992
Publication date： Nov. 19, 1993
Summary：
【要約】【目的】 基板上に導電性および光透過性の優れた透明導電性膜を形成する方法。【構成】 スパッタガスにH2を含む混合ガスを用いて200°C以上の基板上にスパッタ法でIn-Sn-O系の透明導電膜を形成する方法。
Claim (excerpt)：
In-Sn-O系の酸化物ターゲットを用いて200°C以上の基板上に、スパッタ法によりIn-Sn-O系の透明導電膜を形成する方法において、スパッタガスとしてH2を含む混合ガスを用いることを特徴とする透明導電膜の形成方法。
IPC (3)：
C23C 14/34
, C23C 14/08
, H01B 13/00 503
