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J-GLOBAL ID：200903046283868651

偏極電子線発生素子

Inventor： 岸野 克巳 ,  加藤 俊宏
Applicant, Patent owner： 岸野 克巳 ,  大同特殊鋼株式会社
Agent (1)： 池田 治幸 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992280822
Publication number (International publication number)：1994111714
Application date： Sep. 25, 1992
Publication date： Apr. 22, 1994
Summary：

【要約】【構成】 励起レーザが照射されることにより偏極電子線を発生する第2半導体(ストレインドGaAs半導体)18の裏側に半導体多層膜反射鏡14を設け、その半導体多層膜反射鏡14と第2半導体18の表面19との間で励起レーザを多重反射させる。【効果】 第2半導体18の膜厚を厚くすることなく、その第2半導体18で吸収される光エネルギー量が増加するため、偏極率を損なうことなく量子効率が向上する。

Claim (excerpt)：

価電子帯にバンドスプリッティングを有する半導体光電層を備え、該半導体光電層に励起レーザが入射されることにより該半導体光電層の表面からスピン方向が偏在している偏極電子線を発生する偏極電子線発生素子であって、前記半導体光電層の裏側に前記励起レーザを反射することにより前記表面との間で該励起レーザを多重反射させる反射鏡を有することを特徴とする偏極電子線発生素子。