Pat

J-GLOBAL ID：200903046286763990

薄膜構造の製造方法

Inventor： 程 敏林
Applicant, Patent owner： 株式会社フジクラ
Agent (1)： 佐藤 祐介
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993107564
Publication number (International publication number)：1994302834
Application date： Apr. 09, 1993
Publication date： Oct. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 シリコンIC製造プロセスとの整合性が良好で、しかもホトリソグラフィ技術上の問題を生じる段差をなくして基板と可動部との間隔を大きくできるように、薄膜構造の製造方法を改善する。【構成】 シリコン基板11の表面にシリコン酸化膜12を設け、このシリコン酸化膜12を部分的に除去して凹部13を設けることによりシリコン基板11を露出させる。この凹部13内にゲルマニウム層14を選択的に成長させて表面を平坦とし、さらにその平坦な表面上に第2のシリコン酸化膜15を形成する。このシリコン酸化膜15にゲルマニウム層14に到達するようなエッチ穴16を設け、H2O2液を用いてこの穴16からゲルマニウム層14のみを選択的にエッチングする。これによって空洞部17を設け、シリコン酸化膜15のダイアフラム18となる部分を、シリコン基板11から分離させる。

Claim (excerpt)：

表面のシリコン反応物膜を部分的に除去することによりシリコン基板の該表面に凹部を設けてシリコン基板を露出させる工程と、該凹部内にのみゲルマニウムを選択的に堆積することにより該凹部を埋め尽くして表面を平坦にする工程と、該表面上に構造材となる薄膜層を形成する工程と、H2O2を用いて上記ゲルマニウム層のみを選択的にエッチングして除去することにより上記薄膜層を基板から分離させる工程とを有することを特徴とする薄膜構造の製造方法。

IPC (3)：

H01L 29/84 ,  G01L 9/04 101 ,  H01L 21/308