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J-GLOBAL ID：200903046288256484

薄膜電場発光素子の製造方法

Inventor： 辻 崇
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 篠部 正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997038765
Publication number (International publication number)：1998241857
Application date： Feb. 24, 1997
Publication date： Sep. 11, 1998
Summary：

【要約】【課題】基板側の電極の膜厚および抵抗値に影響を及ぼさない薄膜電場発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】基板1上に少なくとも第1の電極2a、第1の絶縁層3a、発光層、第2の絶縁層3bおよび第2の電極2bが積層されてなり、第1の電極は外部リードとの接続のために露出された接続端子Tを有し、発光層が硫黄を含む雰囲気中でアニールされる薄膜電場素子の製造方法において、前記アニール時には前記接続端子は硫黄を透過させない材料のアニールマスクMにより被覆されており、前記アニール後にこのアニールマスクは第1電極を損傷することなく除去されることとする。

Claim (excerpt)：

基板上に少なくとも第1の電極、第1の絶縁層、発光層、第2の絶縁層および第2の電極が積層されてなり、第1の電極は外部リードとの接続のために露出された接続端子を有し、発光層が硫黄を含む雰囲気中でアニールされる薄膜電場素子の製造方法において、前記アニール時には前記接続端子は硫黄を透過させない材料のアニールマスクにより被覆されており、前記アニール後にこのアニールマスクは第1電極を損傷することなく除去されることを特徴とする薄膜電場発光素子の製造方法。