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J-GLOBAL ID：200903046290112244

太陽電池およびその製造方法

Inventor： 山田 巧 ,  西岡 孝 ,  川上 剛司 ,  山田 武
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 中村 純之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996226491
Publication number (International publication number)：1998070298
Application date： Aug. 28, 1996
Publication date： Mar. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】太陽電池の受光表面の光反射率を広い波長範囲にわたって低減させるための凹凸構造を、結晶成長後のエッチング工程を付加することなく作製すること。【解決手段】太陽電池作製のための単結晶基板として、基板面の方位が(100)面の方位とは異なる基板11を用い、それによって、表面に凹凸構造をもつ光透過層14を結晶成長させ、太陽電池を作製する。

Claim (excerpt)：

単結晶基板面上に、pn接合層、光透過層を順次結晶成長させてなる太陽電池において、前記pn接合層、前記光透過層が、(100)の方位と異なる方位の前記基板面上に結晶成長され、前記pn接合層の上面、前記光透過層の表面あるいは下面のうち、少なくとも前記光透過層の表面に凹凸構造を有することを特徴とする太陽電池。

IPC (3)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205

FI (4)：

H01L 31/04 F ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04 E