Pat

J-GLOBAL ID：200903046301867340

薄膜コイルの製造方法

Inventor： 松崎 一夫
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993276301
Publication number (International publication number)：1995130568
Application date： Nov. 05, 1993
Publication date： May. 19, 1995
Summary：

【要約】【目的】基板の反り発生なしにコイル導体を形成し、さらにコイル導体を覆った絶縁膜の表面平坦化が実現できる薄膜コイルの製造方法を提供する。【構成】シリコン基板1の上に形成しためっき下地電極となる薄膜導体7に対し、該薄膜導体上に第1のフォトレジスト8を塗布した上で、ホットエッチングによりコイル導体の形成パターンに対応した選択めっきマスクを形成し、次に前記第1のフォトレジストをマスクとして薄膜導体が露出する部分に選択的に金属を電着してコイル導体10を形成し、さらに前記フォトレジストを取り除いた上で、コイル導体部以外の薄膜導体をエッチングして除去した後に、コイル導体を覆って基板上に絶縁層となる第2のフォトレジスト11を塗布し、さらに該フォトレジストに対して、コイル導体の上に凸状に盛り上がっている部分のみを選択的にフォトエッチングして表面を平坦に仕上げる。

Claim (excerpt)：

基板上に形成しためっき下地電極となる薄膜導体に対し、該薄膜導体上に第1のフォトレジストを塗布した上で、コイル導体の形成パターンに対応した選択めっきマスクを形成する第1のフォトエッチング工程と、前記第1のフォトレジストをマスクとして薄膜導体が露出する部分に選択的に金属を電着するコイル導体形成工程と、前記第1のフォトレジストを取り除いた上で、コイル導体部以外の薄膜導体を除去するエッチング工程と、コイル導体を覆って基板上の全面に絶縁層としての第2のフォトレジストを被覆する塗布工程と、第2のフォトレジストに対して、コイル導体の上に凸状に盛り上がっている部分のみを選択的に除去して第2フォトレジストの表面を平坦化する第2のフォトエッチング工程とを含むことを特徴とする薄膜コイルの製造方法。

IPC (3)：

H01F 41/04 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 導体パターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-231687   Applicant：富士通株式会社
• 特開平1-128214
  
• 特開昭57-172519