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J-GLOBAL ID:200903046304277799

半導体製造方法および半導体製造装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 筒井 大和
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993210013
Publication number (International publication number):1995066168
Application date: Aug. 25, 1993
Publication date: Mar. 10, 1995
Summary:
【要約】【目的】 洗浄乾燥処理に際して半導体ウエハが異物によって汚染されるのを抑制する。【構成】 半導体集積回路装置の製造工程において、半導体ウエハを純水によって洗浄する洗浄工程(工程102a,工程102b)と、洗浄工程後の半導体ウエハをIPAガスの雰囲気中において回転させることにより乾燥する乾燥工程(工程103a,工程103b)とを連続して行う。
Claim (excerpt):
半導体集積回路装置の製造工程において、以下の工程を有することを特徴とする半導体製造方法。(a)半導体ウエハを純水によって洗浄する洗浄工程。(b)前記洗浄工程後の半導体ウエハをアルコールガスの雰囲気中において回転させることにより乾燥する乾燥工程。

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