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J-GLOBAL ID：200903046323249860

ポジ型レジスト組成物

Inventor： 宮 芳子 ,  上谷 保則 ,  山口 訓史 ,  吉田 勲
Applicant, Patent owner： 住友化学工業株式会社
Agent (1)： 久保山 隆 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002258585
Publication number (International publication number)：2003255544
Application date： Sep. 04, 2002
Publication date： Sep. 10, 2003
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】170nm以下の波長の光に対する透過率に優れ、特にF2エキシマレーザーリソグラフィに適したレジスト組成物を提供する。【解決手段】一般式(I)および(II)で表される重合単位を有し、それ自体はアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸の作用でアルカリ水溶液に可溶となる樹脂、および酸発生剤を含有してなるポジ型レジスト組成物。(式中、R1、R2、R3は、それぞれ独立に、水素、ハロゲン、水酸基、炭素数1〜14のアルキル基、脂環式環もしくはラクトン環を表す。n及びlは、それぞれ独立に、0〜4の整数を表す。R4、R5は、それぞれ独立に、水素又は炭素数1〜4のアルキル基を表す。R6とR7は、炭素数1〜6のアルキル基を示し、該アルキル基のいずれか又は両方は、少なくとも1つのフッ素原子で置換されている。R8は、酸の存在下で解離する酸不安定基を表す。)

Claim (excerpt)：

一般式(I)および(II)で表される重合単位を有し、それ自体はアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸の作用でアルカリ水溶液に可溶となる樹脂、および酸発生剤を含有してなることを特徴とするポジ型レジスト組成物。(式中、R1、R2、R3は、それぞれ独立に、水素、ハロゲン、水酸基、炭素数1〜14のアルキル基、脂環式環もしくはラクトン環を表す。該アルキル基は、ハロゲン、水酸基及び脂環式環からなる群から選ばれた少なくとも1種の置換基を有しても良い。該脂環式環及びラクトン環は、それぞれ独立に、ハロゲン、水酸基及びアルキル基からなる群から選ばれた少なくとも1種の置換基を有しても良い。n及びlは、それぞれ独立に、0〜4の整数を表す。R4、R5は、それぞれ独立に、水素又は炭素数1〜4のアルキル基を表す。R6とR7は、炭素数1〜6のアルキル基を示し、該アルキル基のいずれか又は両方は、少なくとも1つのフッ素原子で置換されている。R8は、酸の存在下で解離する酸不安定基を表す。)

IPC (8)：

G03F 7/039 601 ,  C08F 8/00 ,  C08F232/00 ,  C08K 5/36 ,  C08L 45/00 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/027

FI (8)：

G03F 7/039 601 ,  C08F 8/00 ,  C08F232/00 ,  C08K 5/36 ,  C08L 45/00 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 A ,  H01L 21/30 502 R

F-Term (38)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CC20 ,  2H025FA10 ,  2H025FA17 ,  4J002BK001 ,  4J002EV296 ,  4J002FD206 ,  4J002GP03 ,  4J100AR11P ,  4J100AR11Q ,  4J100BA02H ,  4J100BA02Q ,  4J100BA03P ,  4J100BA04H ,  4J100BA04Q ,  4J100BA05H ,  4J100BA05Q ,  4J100BA06H ,  4J100BA06Q ,  4J100BA10H ,  4J100BA10Q ,  4J100BB11P ,  4J100BC43H ,  4J100BC43Q ,  4J100CA04 ,  4J100CA31 ,  4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 化学増幅型ポジ型レジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-238542   Applicant：住友化学工業株式会社

Cited by examiner (12)

• 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-375504   Applicant：信越化学工業株式会社
• 放射線感応性レジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-328710   Applicant：東京応化工業株式会社
• 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-349459   Applicant：信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社
• 感放射線性樹脂組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-108824   Applicant：ジェイエスアール株式会社, インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
• 含フルオロポリマー及びこれを含む化学増幅型レジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-326660   Applicant：三星電子株式会社
• パターン形成材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-250215   Applicant：松下電器産業株式会社
• パターン形成材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-277597   Applicant：松下電器産業株式会社
• 化学増幅型ポジ型レジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-395887   Applicant：住友化学工業株式会社
• スルホニウム塩及びその用途
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-372870   Applicant：住友化学工業株式会社
• 塩基および界面活性剤を含むマイクロリソグラフィ用フォトレジスト組成物
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2002-546917   Applicant：イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー
• ポリマーブレンド及びマイクロリソグラフィ用フォトレジスト組成物中でのそれらの使用
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2002-546914   Applicant：イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー
• フッ素化ポリマー、フォトレジストおよびミクロリソグラフィーのための方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2000-615852   Applicant：イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• Resist materials for 157-nm microlithography: an update
• Transparent resins for 157-nm lithography
• New resin systems for 157 nm lithography
• Polymers for 157 nm Photoresist Applications: A Progress Report
• Photoresist outgassing at 157 nm exposure