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J-GLOBAL ID：200903046326492634

トランジスタ構造及びその製造方法

Inventor： ジェフェリー・エス・ブラウン ,  ジェームス・エス・デューン ,  スティーブン・ジェイ・ホルメス ,  デビット・ブイ・ホラック ,  ロバート・ケイ・レイディ ,  スティーブン・エイチ・ボールドマン
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 坂口 博 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998201979
Publication number (International publication number)：1999330384
Application date： Jul. 16, 1998
Publication date： Nov. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 ラッチアップ耐性の高いトランジスタ構造及びその製造方法を提供することである。【解決手段】 好適な構造及び方法により、部分的には誘電層によって基板から分離し高くなったソースとドレインを用いることで、漏れと接合容量が小さくなる。高くなったソースとドレインは好適にはトランジスタ・ゲートを形成するのに用いられるものと同じ物質層から作製される。トランジスタを作製する好適な方法はハイブリッド・レジストによりゲート物質層をゲート用、ソース用、及びドレイン用の領域の中で正確にパターン化する。ソースとドレインの領域は次にシリコンの成長により基板に接続される。よって余分な作製ステップを必要とせずに改良されたトランジスタ構造を与える。

Claim (excerpt)：

基板の選択された側壁に側壁スペーサを形成する方法であって、a)前記基板にハイブリッド・レジスト層を付着するステップと、b)前記ハイブリッド・レジストの第1の部分は第1露光レベルで露光され、前記ハイブリッド・レジストの第2の部分は第2露光レベルで露光され、前記ハイブリッド・レジストの第3の部分は第3露光レベルで露光されるように、複数の形状を含むマスクを通して前記ハイブリッド・レジスト層を露光するステップと、c)前記ハイブリッド・レジストの第2の部分が除去されて前記基板の第1領域が露出するように前記ハイブリッド・レジスト層を現像するステップと、d)前記基板の第1領域をエッチングして側壁スペーサ・トラフを形成するステップと、e)前記ハイブリッド・レジストの第1の部分を除去し、前記基板の第2領域を露出し、前記ハイブリッド・レジストの第3の部分は前記基板の第3領域を覆って残るステップと、f)前記側壁スペーサ・トラフに側壁スペーサ物質を付着するステップと、g)前記側壁スペーサ・トラフの前記側壁スペーサ物質を前記側壁スペーサ物質が前記基板の第2領域の側壁から実質的に除去されるまで一定方向にエッチングし、前記基板の第3領域の側壁には前記側壁スペーサ物質を残すステップと、を含む、方法。

IPC (6)：

H01L 27/08 331 ,  G03F 7/26 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/027 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (6)：

H01L 27/08 331 A ,  G03F 7/26 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 502 C ,  H01L 29/78 301 Y