Pat
J-GLOBAL ID：200903046330724230
半導体発光素子
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996106695
Publication number (International publication number)：1997293929
Application date： Apr. 26, 1996
Publication date： Nov. 11, 1997
Summary：
【要約】【課題】 ZnSe系化合物半導体を用いた青緑色半導体レーザにおいて、低欠陥の半導体レーザを提供する。【解決手段】 n型GaAs基板1上にn型GaAsバッファ層2を形成した後、n型Ge層3を形成する。その後、順次n型ZnMgSSeクラッド層5、活性層6〜8、p型ZnMgSSeクラッド層9、p型ZnSSeクラッド層10、p型ZnSe/ZnTeコンタクト層11を形成する。これによって、GaAs基板とZnSe系半導体界面に発生する欠陥が低減され長寿命の半導体レーザが実現する。
Claim (excerpt)：
基板と、前記基板上に形成したGaAsエピタキシャル層と、前記GaAsエピタキシャル層上に形成した、第一の導電型のGe層および第一の導電型のZnSe層と、前記ZnSe層上に形成したZn1-xCdxSe(0≦x≦1)系活性層とを有する半導体発光素子。
IPC (2)：
FI (2)：
Return to Previous Page
