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J-GLOBAL ID：200903046347779178

窒化物半導体製造方法

Inventor： 平野 光 ,  田村 至 ,  シリル ペルノー ,  天野 浩 ,  赤崎 勇
Applicant, Patent owner： 大阪瓦斯株式会社
Agent (1)： 北村 修一郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999149774
Publication number (International publication number)：2000340519
Application date： May. 28, 1999
Publication date： Dec. 08, 2000
Summary：

【要約】【課題】 Alの組成比xが0.2以上であっても、高キャリア濃度のp-AlxGa1-xN層を作製可能な、更には、良好な特性の受光素子や火炎センサを作製可能な窒化物半導体製造方法を提供する。【解決手段】 AlxGa1-xN(x≧0.2)において、BeとPの両方を含む不純物を注入またはドーピングすることにより、p-AlxGa1-xNを得る。更に好ましくは、BeとPの両方を含む前記AlxGa1-xNに対して、熱処理を施すか、或いは、電流注入または電子ビーム照射またはその両方の組み合わせにより、Beを活性化させる。

Claim (excerpt)：

AlxGa1-xN(x≧0.2)において、BeとPの両方を含む不純物を注入またはドーピングすることにより、p-AlxGa1-xNを得ることを特徴とする窒化物半導体製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/265 ,  G01J 1/02 ,  H01L 31/10

FI (4)：

H01L 21/265 601 Z ,  G01J 1/02 G ,  H01L 21/265 601 A ,  H01L 31/10 A

F-Term (12)：

2G065AA04 ,  2G065AB05 ,  2G065BA02 ,  2G065DA06 ,  5F049MA02 ,  5F049MA04 ,  5F049MB07 ,  5F049NA10 ,  5F049NB07 ,  5F049PA10 ,  5F049PA11 ,  5F049WA05