Pat
J-GLOBAL ID：200903046349616586
エピタキシャルウェハおよびその製造方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
矢口 平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997324870
Publication number (International publication number)：1999162848
Application date： Nov. 26, 1997
Publication date： Jun. 18, 1999
Summary：
【要約】【課題】 禁止帯幅が比較的小さい窒素を含む立方晶の結晶性の良いIII -V族化合物半導体層を備えたエピタキシャルウェハを提供する。【解決手段】 立方晶の基板上に、砒化燐化窒化硼素(BN<SB>i</SB> P<SB>j</SB> As<SB>k</SB> 、但し0<i<1、0≦j<1、0≦k<1、i+j+k=1)よりなる立方晶を主体としたバッファ層を形成し、該バッファ層上に、Al<SB>a</SB> Ga<SB>b</SB> In<SB>c</SB> N<SB>d</SB> M<SB>1-d</SB>(0≦a≦1、0≦b≦1、0≦c≦1、a+b+c=1、Mは窒素以外の第V族元素、0<d≦1)よりなる立方晶を主体としたエピタキシャル薄膜を形成する。
Claim (excerpt)：
立方晶の基板上に、砒化燐化窒化硼素(BN<SB>i</SB> P<SB>j</SB> As<SB>k</SB> 、但し0<i<1、0≦j<1、0≦k<1、i+j+k=1)よりなる立方晶を主体としたバッファ層を形成し、該バッファ層上に、Al<SB>a</SB> Ga<SB>b</SB> In<SB>c</SB> N<SB>d</SB> M<SB>1-d</SB> (0≦a≦1、0≦b≦1、0≦c≦1、a+b+c=1、Mは窒素以外の第V族元素、0<d≦1)よりなる立方晶を主体としたエピタキシャル薄膜を形成したエピタキシャルウェハ。
IPC (6)：
H01L 21/20
, H01L 21/205
, H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 33/00
, H01S 3/18
H01L 21/20
, H01L 21/205
, H01L 33/00 C
, H01S 3/18
, H01L 29/80 B
