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J-GLOBAL ID：200903046369527148

電界放出陰極及びその形成方法

Inventor： 熊谷 宗人 ,  坂井 裕一
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992342416
Publication number (International publication number)：1994196086
Application date： Dec. 22, 1992
Publication date： Jul. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】 電流密度が大きく、特性が安定した大面積化に有利な電界放出陰極及びその形成方法を得る。【構成】 超微粒子6を所定の配向方向で充填したフォトレジスト7を基板1上に塗布し、このフォトレジスト7をパターニングし、超微粒子6とフォトレジスト7を選択エッチングして超微粒子6をフォトレジスト7から突出させ、フォトレジスト7上に導電性膜8を形成する。

Claim (excerpt)：

基板と、この基板上に所定の形状に形成された陰極部とから成り、この陰極部中に、所定の方向に配向されるとともに一端が陰極部から露出する微小針状電極を備えたことを特徴とする電界放出陰極。

IPC (2)：

H01J 1/30 ,  H01J 9/02