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J-GLOBAL ID：200903046391093216

プローブおよびこれを備えたセンサ

Inventor： 石田 誠 ,  松井 正宏
Applicant, Patent owner： 石田 誠 ,  旭化成工業株式会社
Agent (1)： 森 哲也 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999152654
Publication number (International publication number)：2000333921
Application date： May. 31, 1999
Publication date： Dec. 05, 2000
Summary：

【要約】【課題】プローブと信号処理回路が一体になっているセンサであって、従来のものよりプローブの形成方法が簡単で、且つプローブの直径および隣り合うプローブの間隔がより小さいものを提供する。【解決手段】本発明のセンサは、半導体基板1上に、多数の針状突起からなるプローブ2と、各プローブ2から入力された電気信号を処理する信号処理回路3とが形成されたものである。このセンサは、信号処理回路3のスイッチアレイとして、NMOSFETを各プローブ2毎に備えている。各プローブ2は、NMOSFETのドレイン(高濃度拡散層)を下地として結晶成長させた突起である。

Claim (excerpt)：

半導体基板の拡散層を下地として結晶成長させた突起からなることを特徴とするプローブ。

IPC (7)：

A61B 5/0408 ,  A61B 5/0478 ,  A61B 5/0492 ,  A61B 5/0476 ,  G01N 27/30 ,  G01R 1/073 ,  H01L 21/66

FI (6)：

A61B 5/04 300 J ,  G01N 27/30 A ,  G01N 27/30 F ,  G01R 1/073 F ,  H01L 21/66 B ,  A61B 5/04 320 A

F-Term (19)：

2G011AA02 ,  2G011AA16 ,  2G011AA21 ,  2G011AC11 ,  2G011AE03 ,  2G011AF07 ,  4C027AA04 ,  4C027EE01 ,  4C027FF01 ,  4C027KK01 ,  4C027KK07 ,  4M106AA02 ,  4M106AB01 ,  4M106AB06 ,  4M106BA01 ,  4M106CA01 ,  4M106DD03 ,  4M106DD11 ,  4M106DD30

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• VLS成長法によるインテリジェント神経出にセンサ用Siワイヤー選択成長