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J-GLOBAL ID：200903046403704445

ポリシラザンからのシリカコーティングの堆積方法

Inventor： ロナルド ハワード バニー ,  グリッシュ チャンドラ ,  ローレン アンドリュー ハルスカ
Applicant, Patent owner： ダウ・コ-ニング・コ-ポレ-ション
Agent (1)： 石田 敬 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994012493
Publication number (International publication number)：1995002511
Application date： Feb. 04, 1994
Publication date： Jan. 06, 1995
Summary：

【要約】【目的】 電子サブストレート上に、保護層や誘電層として使用できるシリカコーティングを堆積させる方法を提供する。【構成】 電子サブストレートにシラザンポリマーを含むコーティング組成物を被覆し、被覆したサブストレートを酸化性雰囲気中でシラザンポリマーがシリカコーティングに転化するに充分な温度に加熱して電子サブストレートにシリカコーティングを堆積する。好ましくは、シラザンポリマーを芳香族炭化水素、アルカン、ケトン、エステル等の溶媒に溶かして溶液を作成し、サブストレートに溶液を被覆し、溶媒を蒸発させ、空気、酸素、オゾン、水蒸気、酸素プラズマ等の雰囲気中で50〜800°Cの温度にて6時間未満加熱する。シラザンは〔R2 SiNH〕、〔RSi(NH)1.5 〕、及び/又は〔R3 Si(NH)1/2 〕の構造単位を含み、各々のRは水素、アルキル基、アリール基等である。

Claim (excerpt)：

電子サブストレートにシリカのコーティングを堆積させる方法であって、電子サブストレートにシラザンポリマーを含むコーティング組成物を被覆し、被覆したサブストレートを酸化性雰囲気中でシラザンポリマーがシリカコーティングに転化するに充分な温度に加熱するシリカコーティングの堆積方法。

IPC (3)：

C01B 33/12 ,  B05D 7/24 302 ,  C08L 83/08 LRW

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭57-117532
  
• 特開昭60-135431
  
• 特開昭57-117532
  
• 特開昭60-135431