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J-GLOBAL ID：200903046413986899

磁気記録体

Inventor： 中村 久三 ,  谷 典明 ,  石川 道夫 ,  橋本 征典
Applicant, Patent owner： 日本真空技術株式会社
Agent (1)： 北村 欣一 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1990405036
Publication number (International publication number)：1995141638
Application date： Dec. 21, 1990
Publication date： Jun. 02, 1995
Summary：

【要約】【構成】本発明による磁気記録体は、非磁性体上に、Cr、Mo、Wやこれらの合金の薄膜からなる結晶配向用下地層と、この結晶配向用下地層上にCo合金の薄膜からなるCo合金層とが蒸着法やスパッタ法により連続して形成されて、HCP相のC軸がほぼ面内方向に配向してなる磁性層を備えた面内記録型磁気記録体において、上記Co合金層の成分に、少なくともPdとBを含んでいるものである。磁性層におけるPdの組成は、3〜30at%が望ましく、Bの組成は、0.5〜15at%であることが望ましい。上記Pdの一部は、Ptで置換してもよい。【効果】本発明の磁気記録体においては、Co合金磁性層にPdとBを同時添加することにより、安価で高保磁力の磁気記録体を得ることができる。

Claim (excerpt)：

非磁性体上に、Cr、Mo、Wやこれらの合金の薄膜からなる結晶配向用下地層と、この結晶配向用下地層上にCo合金の薄膜からなるCo合金層とが連続して形成されて、HCP相のC軸がほぼ面内方向に配向してなる磁性層を備えた磁気記録体において、前記Co合金層の成分に、少なくともPdとBの両者を含んでいることを特徴とする磁気記録体。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭61-253622
  
• 特開昭61-246914
  
• 特開昭63-079229
  
• 特開平2-227826