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J-GLOBAL ID：200903046414354535

電力用半導体素子

Inventor： 附田 正則 ,  四戸 孝
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 大胡 典夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998271604
Publication number (International publication number)：2000101066
Application date： Sep. 25, 1998
Publication date： Apr. 07, 2000
Summary：

【要約】【課題】 導通時やターンオフ時における電流集中による破壊を防止する。【解決手段】 半導体素子の層を形成するときに深い準位の不純物を浅い準位の不純物と混合して形成する。

Claim (excerpt)：

素子を構成する第一導電型層または第二導電型層を形成するための不純物が、二種類以上の異なる種類の導電型層を形成するドナーまたはアクセプタで構成されており、その準位の一つが0.05eV未満の値を持ち、また他の1つが0.05eV以上の値をもつ電力用半導体素子。

IPC (5)：

H01L 29/744 ,  H01L 29/74 ,  H01L 29/749 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/861

FI (9)：

H01L 29/74 C ,  H01L 29/74 A ,  H01L 29/74 B ,  H01L 29/74 601 A ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 654 Z ,  H01L 29/78 655 C ,  H01L 29/78 655 Z ,  H01L 29/91 D

F-Term (7)：

5F005AA02 ,  5F005AA03 ,  5F005AB02 ,  5F005AB03 ,  5F005AC02 ,  5F005AE09 ,  5F005AF02